- Bạn vui lòng tham khảo Thỏa Thuận Sử Dụng của Thư Viện Số
Tài liệu Thư viện số
- Công nghệ thực phẩm (1238 )
- Công nghệ hóa học (736 )
- CN Sinh học - Môi trường (984 )
- Cơ khí (1166 )
- Điện - Điện tử (1045 )
- Công nghệ thông tin (829 )
- Quản trị kinh doanh (1031 )
- Tài chính kế toán (998 )
- May - Thời trang - Da giày (546 )
- Việt Nam học (546 )
- Khoa học cơ bản (609 )
- Lý luận chính trị (665 )
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (346704)
- Kinh Doanh Marketing (67778)
- Kinh Tế - Quản Lý (50036)
- Tài Chính - Ngân Hàng (57809)
- Công Nghệ Thông Tin (143292)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47261)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (137309)
- Khoa Học Tự Nhiên (110530)
- Khoa Học Xã Hội (85272)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54491)
- Y Tế - Sức Khoẻ (177214)
- Nông - Lâm - Ngư (63475)
- Kỹ Năng Mềm (29084)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27862)
- Giải Trí - Thư Giãn (52535)
- Văn Bản Luật (199483)
- Tài Liệu Phổ Thông (409665)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
» Từ khóa: do ben nhie t
Kết quả 1-1 trong khoảng 1
-
Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ
Bài viết Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ tập trung nghiên cứu tổng hợp nên tấm film nano từ vật liệu đồng nanowires (CuNWs) kết hợp với sợi nano aramid (ANF). Tấm film nano tạo thành có độ dẫn nhiệt cao, có khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI) và có độ bền cơ học vượt trội.
8 p cntp 26/01/2024 35 0
Từ khóa: Sợi nano đồng, Độ bền nhiệt, Chế tạo vật liệu nanocomposite, Nhiễu điện từ, Tấm film nano
Phát triển bởi Thư viện số
